细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
水洗碳化硅工艺的污染
碳化硅生产工艺中主要产生哪些污染物?如何防治污染?常见
2014年3月26日 施工期的环境影响具有分散性、瞬时性、阶段性等特点，通过在施工场地内外采取一定的降尘措施，合理安排施工时段和施工进程，可有效地减少施工过程对外环 2023年1月19日 硅烷流化床法是上世纪70年代美国联合碳化合物公司研发的生产工艺,主要目的是降低多晶硅的生产能耗和成本,该工艺以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料, “碳中和”系列专题六： 中国工业硅工艺碳排放现状及国内外碳
碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
通过预清洗、酸洗、碱洗、水洗、二次清洗和干燥等工艺步骤，可以有效去除晶片表面的杂质和污染物，提高晶片的纯净度。 在进行清洗过程中，需要严格按照工艺要求进行操作， 碳化硅晶片清洗是制备高性能晶体器件的重要步骤。 通过预处理、主要清洗、二次清洗和检测质量控制等工艺步骤，可以有效地去除晶片表面的污染物和杂质，提高晶片的可靠性 碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
CMP后晶片表面金属污染物的清洗方法解析 制造新闻
2021年12月15日 消洗介质在被洗物表面形成一层均匀的薄，润湿被洗物表面，使被洗物表面的污染 金属污染物，如碳化硅表面的铜，不能通过使用传统的RCA 清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面没有形成化学氧化物，这种化学稳定性归因于RCA 2021年11月13日 必须开发一个可靠且成功的清洁程序，以产生一致且特性良好的起始表面。 据报道，一些碳化硅表面清洁研究，包括高温氢蚀刻和氢等离子体处理，可以去除抛光过程中产生的污染物和划痕。 在本文中，我们演示了氢原子束源(HABS)产生的氢原子对清洗衬 去除碳化硅衬底中的表面污染物 华林科纳（江苏）半导体
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺 百度学术
2017年2月23日 本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔 2024年3月21日 高性能碳化硅先进陶瓷材料的开发和应用（一） 20240321 “碳化硅膜盐水精制应用” 碳化硅材料具有天然的多孔性、绝佳的化学稳定性和优良的导热性和热稳定性，是制作特种膜材料的理想选择。 是典型的耐腐蚀、耐高温、耐冲击的“三耐材料”，由于其 高性能碳化硅先进陶瓷材料的开发和应用（一）【官网】坚膜
碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理 CSDN博客
2022年4月7日 本研究中使用的一些模式的布局图；150毫米碳化硅晶片和大约10毫米直径的TXRF位置在两种情况下都显示(100毫米碳化硅晶片的实验模式未显示)。 左:MCV 10点半径扫描(~17毫米直径测量点)允许5点TXRF测量来分析受汞污染的区域和未受汞污染的区域。2011年2月23日 一种用于清洗碳化硅晶片表面的方法，该清洗方法包括有机清洗和无机清洗两部分，有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和去除表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化 去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污染物和其它强吸附性物质的步骤 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法 X技术网
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏提供一个平台，让用户自由表达观点和分享知识。2023年11月9日 在 2023 SMM (第十二届) 硅业峰会 上，南京库泰环保科技有限公司总经理、高级工程师董涛对工业硅的环境影响进行了分析，并分析了相关治理措施。 工业硅生产对环境造成的负面影响 工业硅生产过程中会产生废气、废水、固体废物以及噪音等对环境不利的因素，具体影响如下：专家分享：工业硅的环境影响分析及治理措施【SMM硅业峰会
一种抛光后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的清洗剂专利
2022年5月30日 本 发明 涉及 碳 化 硅 加工技术领域，公开了一种 抛光 后的碳化硅晶片的清洗方法以及相应的 清洗剂 ，通过使用具有酸性环境的双 氧 水 ‑ 柠檬酸 水溶液对基于Al2O3‑KMnO4体系抛光后的碳化硅晶片进行清洗，再经过后续清洗工艺，得到抛光清洗后的 摘要：本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机 清洗和无 机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清 洗包括通过氧化去除氧化层来去除碳化硅表面残留的 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法[发明专利]百度文库
一种碳化硅晶片的清洗方法与流程 X技术网
2019年4月5日 本申请涉及一种碳化硅晶片的清洗方法，属于半导体材料制备领域。背景技术碳化硅作为最重要的第三代半导体材料之一，因其具有禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异性质，而被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。由于SiC晶片加工中需要由许多有机物和 2011年2月23日 用于制作上述器件的碳化硅晶片表面必须是清洁无污染的，因此在使用或出厂 前，碳化硅晶片要经过一系列的清洗过程。 目前常用的方法用氢氟酸、浓硫酸或其他的混 合酸(如氢氟酸和硝酸等)清洗表面，之后用去离子水将留在表面的杂质冲洗干净(JP 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法 X技术网
碳化硅晶片清洗工艺 百度文库
碳化硅晶片的清洗工艺 是保证其性能和可靠性的重要环节。通过合理选择清洗溶液、准备清洗设备和工具，以及遵循正确的清洗步骤和注意事项，可以有效地清洗碳化硅晶片，保证其表面的洁净度和无污染。清洗后的碳化硅晶片可以更好地应用于半导体 可见，碳化硅生产中的污染主要来自后期的酸碱洗和水选后产生的废液。对污染的治理主要在对废液的 处理。 (阮鸿便)碳化硅生产 应该是加氯化钠(食盐)吧!是要炼绿色的SiC才使用,主要作用是使杂质在800度时挥发最好不加食盐,应该从提高 关于碳化硅、原料、工艺流程、有何污染、原料采购方面的
碳化硅水洗工艺
绿碳化硅酸碱水洗用多少酸多少碱,。碳化硅水洗料、碳化硅水洗料行情、碳化硅水洗料厂家胜泰微粉位于山东省青州市经济开发区东区,是一家专业生产碳化硅微粉1500目1200#等产品的公司。生产的碳化硅微粉。阿里巴巴为您提供了供应黑碳化硅水洗985%粒度2022年4月13日 3由于碳化硅晶片的生产工艺 复杂，诸多工艺都有可能引入一些有机物、颗粒、金属和氧化物等杂质污染，而这些污染将会严重地影响碳化硅器件的性能及良率，因此，保证碳化硅衬底的洁净度至关重要。当前，国内外一些半导体衬底厂商大多数 碳化硅衬底晶片的清洗方法与流程 X技术网
高导热碳化硅陶瓷在半导体领域的需求及应用 技术科普
2023年10月9日 SiC器件弥补了传统半导体材料器件在实际应用中的缺陷，正逐渐成为功率半导体的主流。 高导热碳化硅陶瓷的需求量急剧增长 随着科技的不断发展，碳化硅陶瓷在半导体领域的应用需求量急剧增长，而高热导率是其应用于半导体制造设备元器件的关键指标 2023年4月28日 天然有机物 （NOM）已被证明会形成水力不可逆的膜污染，限制了膜在水处理过程中的应用。为解决 NOM 引起的膜污染问题，本研究开发了一种新型的碱活化过硫酸盐氧化陶瓷膜一步化学清洗方法。SiC陶瓷膜用于过滤实际河水 时，产水通量 当 ΔTMP 达到 30 kPa 时，下降了 65%。天然地表水处理后陶瓷膜清洗的碱活化过硫酸盐策略,Chemical
在使用碳化硅制品中有杂质出现，该怎样去除？ 百度知道
2019年4月16日 还有就是直接在磨粉设备中解决，生产的SX88型超细磨粉机设备使用新工艺，细度可在5005000目可调，专业的碳化硅微粉磨粉机设备，其中我们可以改变设备原材料来降低设备加工中三氧化二铁的污染，使用不锈钢材料，直接在生产源头降低三氧化二铁的本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污染物和其它强吸附性物质的步骤，还包括通过酸洗 CNB 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法
涂装水洗工序的工艺要点及水质要求 水处理技术 水处理设备
2013年8月16日 如何在确保水洗后被涂面清洁度的前提下，又能减少用水量、污水排放量和降低处理药品的损耗，是涂装线工艺设计、涂装设备设计和生产管理应特别关注的问题。 为了获得优质涂层和达到省资源及节能减排的目的，必须掌握水洗工序的以下工艺要点。经优化工艺处理后，所得碳化硅粉体的粒度为400800nm 。有益效果： 本发明首次尝试了以煤矸石废料和废活性炭为原料；通过各条件参数的协同作用，制备出了微米级别甚至纳米级别的sic。本发明使用酸浸热洗方法，出去煤矸石中的可溶杂质，对煤矸石中 一种煤矸石与废活性炭制备碳化硅的方法与流程 X技术网
碳化硅水洗工艺上海破碎生产线
6、水洗,水洗用于不溶于水的物质和溶于水的物质的分离提纯,水洗可以除去碳化硅中的酸,和溶于水的杂质。 7、烘干,用于水洗后的烘干。 8、超声波精选,随着超声技术的发展,在微粉工艺的超声筛分中也得到广泛应用,基本能解决强吸性,易团聚,高静电,高精细,高密度,轻比重等筛 2022年3月30日 另外，废槽衬的湿法处理工艺流程长，过程复杂，投资大[12] [13] 。因此以火法为主的铝电解废 槽衬处理方法应为未来的主导方向。 22 大修渣中废侧块 碳化硅砖材料价格昂贵，目前针对回收处理大修渣废侧块的研究很少。大修渣中的废侧块包括 Present Situation and Technical Prospect of Hazardous
氢氟酸在新型清洗工艺中的作用硅片
2020年12月29日 其清洗的硅片，表面平整度高,明显优于标准RCA清洗技术 [8]，而且新型清洗剂具有无毒﹑无腐蚀性﹑对人体无危害﹑对环境无污染，工艺简单﹑操作方便等优点。 HF在清洗中的作用是什么，下面我们以实验来加以说明。 2实验结果和讨论 21HF稀溶液在DGQ系列清洗 2023年11月19日 5 A 1一种在碳化硅衬底化学抛光后清洗的方法，其特征在于，包括： 使用酸性液体浸泡经化学抛光后的碳化硅衬底，并进行水洗； 使用碱性液体浸泡所述碳化硅衬底，并进行水洗； 使用电解液进行电解清洗；以及 将所述碳化硅衬底甩干。 2根据权利要 一种在碳化硅衬底化学抛光后清洗的方法 豆丁网
单晶硅料清洗工艺流程合集百度文库
二、工艺原理 碳化硅晶片清洗工艺的原理是通过化学反应和物理作用去除表面的 污染物。 常用的清洗方法包括溶剂清洗、酸洗和超声波清洗。 溶剂 清洗主要用于去除有机污染物，酸洗主要用于去除无机污染物，超 声波清洗则可以加速清洗过程和提高清洗效果。2019年1月5日 本发明涉及一种清洗方法，特别涉及一种碳化硅微粉清洗装置及其清洗方法。背景技术在生态环保越来越严的今天，节约用水是每个企业必须重视的问题，因节约用水，不仅可以降低生产成本，还能减小废水处理难度，所以能否实现节约用水，将是企业未来能否生存的节点工艺。在绿色碳化硅微粉的 一种碳化硅微粉清洗装置及其清洗方法与流程
CMP后晶片表面金属污染物的清洗方法解析 制造新闻
2021年12月15日 消洗介质在被洗物表面形成一层均匀的薄，润湿被洗物表面，使被洗物表面的污染 金属污染物，如碳化硅表面的铜，不能通过使用传统的RCA 清洗方法完全去除。RCA清洗后，在碳化硅表面没有形成化学氧化物，这种化学稳定性归因于RCA 2021年11月13日 必须开发一个可靠且成功的清洁程序，以产生一致且特性良好的起始表面。 据报道，一些碳化硅表面清洁研究，包括高温氢蚀刻和氢等离子体处理，可以去除抛光过程中产生的污染物和划痕。 在本文中，我们演示了氢原子束源(HABS)产生的氢原子对清洗衬 去除碳化硅衬底中的表面污染物 华林科纳（江苏）半导体
一种碳化硅冶炼的废气回收工艺 百度学术
2017年2月23日 本发明公开了一种碳化硅冶炼的废气回收工艺,包括如下步骤:对碳化硅废气进行收集,将其通过管道经过吸附网,吸附后的废气通过管道进入热交换器进行降温,并通过加压装置对碳化硅废气进行加压,碳化硅废气通入到洗气塔内底部,再次将碳化硅废气引入至洗气塔 2024年3月21日 高性能碳化硅先进陶瓷材料的开发和应用（一） 20240321 “碳化硅膜盐水精制应用” 碳化硅材料具有天然的多孔性、绝佳的化学稳定性和优良的导热性和热稳定性，是制作特种膜材料的理想选择。 是典型的耐腐蚀、耐高温、耐冲击的“三耐材料”，由于其 高性能碳化硅先进陶瓷材料的开发和应用（一）【官网】坚膜
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