细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
制作二氧化硅设备
二氧化硅的生产方法和制作工艺流程，常用原料有哪些 百家号
2024年6月13日 二氧化硅的生产方法和制作工艺流程，常用原料有哪些 二氧化硅是重要化工原料，广泛用于多领域。 制造方法包括沉淀法、溶胶凝胶法、气相法等。 各方法所 2019年12月3日 一种二氧化硅提纯设备的制作方法 本实用新型涉及化工设备技术领域，具体为一种二氧化硅提纯设备。 背景技术： 二氧化硅，化学术语，纯的二氧化硅无色， 一种二氧化硅提纯设备的制作方法 X技术网
一种纳米二氧化硅的生产设备的制作方法 X技术网
2020年1月15日 一种纳米二氧化硅的生产设备的制作方法 本实用新型涉及二氧化硅技术领域，具体为一种纳米二氧化硅的生产设备。 背景技术： 纳米二氧化硅是一种无机化工材料，俗称白炭黑，由于是超细纳米 2018年10月12日 用PECVD技术制备氧化硅薄膜，研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响，探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。 结果表明，在阳极位置生成的薄膜具有Si 用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能
氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台
2024年6月6日 AEMD的氧化硅片是运用热氧化工艺，通过常压炉管设备在高温（800℃~1150℃）条件下，通过氧气或者水蒸气的方式在硅片的表面生长而成的二氧化硅薄膜。 加工的厚度范围从50纳米到2微米，工艺温度高达1100摄氏度，生长方式分为“湿氧”和“干氧”两种。 热 2014年7月23日 通常PECVD设备昂贵，采用全PECVD工艺制作PLC器件[10] ，往往生产效率与制作成本处于劣势。 FHD比PECVD更早用于PLC器件的制作[11] [12] ，该方法能较快地生长厚 达几十甚至上百微米的SiO 2 膜层材料，对台阶的覆盖比PECVD更好[13] ，但对膜层厚度均匀性的控制相对更难。二氧化硅光波导膜材料的制备工艺 Fabrication Process of
科研一角二氧化硅薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展
2022年12月22日 目前磁控溅射的双靶反应溅射沉积 二氧化硅 的设备已经成功应用到了生产线上。 四：结语 20世纪90年代中期以来，二氧化硅薄膜作为一种新型材料在光学和电学等方面具有优异的性能，越来越受到广泛的关注。知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
一种纳米二氧化硅的生产设备的制作方法 X技术网
2020年1月15日 本实用新型涉及二氧化硅技术领域，具体为一种纳米二氧化硅的生产设备。背景技术： 纳米二氧化硅是一种无机化工材料，俗称白炭黑，由于是超细纳米级，尺寸范围在1100nm，因此具有许多独特 2019年9月30日 摘要 摘要: 综述了二氧化硅 (SiO2)薄膜的制备方法和研究进展,介绍了磁控溅射、溶胶凝胶法和真空镀等SiO2薄膜制备方法及其优缺点,论述SiO2薄膜在光学、电学和光电等性能研究方面的新进展,最后对SiO2薄膜的应用和发展进行了展望 关键词: SiO2薄膜 / 制 SiO2薄膜制备方法、性能及其应用的研究进展
一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备pdf 8页 VIP 原创力文档
2023年1月18日 一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备pdf, 本实用新型涉及气垫胶技术领域，尤其为一种制作二氧化硅硅胶涂料的设备，包括壳体，所述壳体的顶端固定连接有支撑柱，所述支撑柱的顶端固定连接有储料箱，所述壳体的底端内侧转动连接有转盘，所述 2014年3月6日 因此, 近年来采用 PECVD 技术制作 SiO2作为太阳电池的光学减反射膜已经成为光伏界研究的热点[56]。 本文采用硅片作为薄膜沉积基底、 SiH4和 N2O 作为反应气体， 利用椭圆偏振仪的测量方法， 研究了温度、 射频功率、 反应气压以及气体流量比等工艺参数对 SiO2薄膜光学性能的影响。硅基底上SiO2薄膜的制备与光学性能 道客巴巴
二氧化硅的生产方法和制作工艺流程，常用原料有哪些 百家号
2024年6月13日 二氧化硅的制造方法有多种，包括沉淀法、溶胶凝胶法、气相法等。不同方法所得产品的纯度、颗粒大小、形态等有所不同，应根据具体应用领域选择适合的制造方法。未来，随着科技的不断进步和环保要求的提高，二氧化硅的制造方法将会不断得到优化和改 2002年10月16日 本实用新型涉及一种制备二氧化硅(SiO2)膜的设备，尤其涉及中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备。通常，反应溅射在没有进行控制时，例如应用硅(Si)靶，当氧气(O2)流量小时，靶面处于金属态，基本上是硅(Si)。导致沉积的膜层没有充分氧化，含有较多的Si，不能达到阻挡性和透过率的要求。而当 中频反应磁控溅射制备二氧化硅膜设备的制作方法 X技术网
一种立式LPCVD设备的二氧化硅沉积镀膜工艺的制作方法 X
2024年3月12日 3、一种立式lpcvd设备的二氧化硅沉积镀膜工艺，包括以下步骤： 4、步骤s1、检查工艺管是否漏气； 5、步骤s2、低压下通氮气吹扫工艺管； 6、步骤s3、漏率检测合格后，通入氮气吹扫气路管道，使得工艺管的压强和气体流量稳定在薄膜淀积时设定的压强 本专利由王志胜申请，公开，本发明公开了一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明以泥炭为原料，通过裂解，重复溶析，从泥炭中提取出的腐殖酸，与普通纳米二氧化硅相混，再进行碱溶，提高纳专利查询、专利下载就上专利顾如一种高分散性纳米二氧化硅的制备方法CNA
气相二氧化硅生产工艺燃烧反应器的制作方法 X技术网
2010年8月18日 本实用新型属于化工设备，具体是一种气相二氧化硅生产工艺燃烧反应O背景技术气相二氧化硅，又称气溶胶二氧化硅或气相法白炭黑，其被广泛应用于橡胶、涂料、塑料、医药、粘合剂、油墨、农药、催化剂、电子及精细陶瓷等领域。它的制备方法是四氯化硅气化之后与氢气和空气混合，在水解炉 1 溶胶制备 将硅源密度较小的 SiO2 粉末溶解在适当的溶剂中，如水、乙醇等， 形成溶胶。 2 凝胶制备 将溶胶加入酸性催化剂中，形成凝胶。 凝胶经过干燥、热处理等步 骤，得到二氧化硅产品。 二氧化硅生产工艺流程包括原料制备、气相法制备和溶胶凝胶 纳米二氧化硅生产工艺流程合集百度文库
单分散球状纳米二氧化硅的可控制备方法与机理分析
2019年1月2日 法，主要研究了催化剂的添加方式，TEOS浓度和温度对 纳米SiO2粒子粒径和形貌的影响，找到了一种能控制粒 径大小和粒径分布的方法，以满足多种场合下对不同纳 米SiO2粒子的需求，如核壳粒子 [15]，各种缓释剂载 体[16]等，以期为纳米二氧化硅粒子的制备技术提供一定2019年4月24日 二氧化硅气凝胶独有的优异特性使其在保温隔热、催化载体、吸附清洁、生物医学等领域都有广泛的应用前景。二氧化硅气凝胶的制备 正硅酸酯类为硅源 正硅酸甲酯、正硅酸乙酯是制备二氧化硅最常用的前驱体，以此作前驱体制备的气凝胶样品比较纯净。一文了解二氧化硅气凝胶的制备要闻资讯中国粉体网
SiO2薄膜制备的现行方法综述 – 極星科技
为此，多年来人们对SiO2膜制作方法及性能等进行了广泛的 研究。对于应用于微电子技术和传感器技术中的SiO2膜，人们关心的是SiO2薄膜的介电常数、击穿场强、绝缘电阻、固定电荷和可动电荷密度等电性能指标。应用于光学镀膜领域的SiO2膜，人们更关心 1 天前 微透镜阵列（MLA，microlens array ）是由数个通光孔径及浮雕深度为微米级的微透镜按照特定的排列而成的阵列。 通过调整微透镜阵列中微透镜的形状、焦距、排布结构方式、占空比等，可实现一定光学功 微透镜阵列介绍丨制备加工方法和应用 AccSci英
气相流化床乙烯聚合催化剂微球形二氧化硅载体的制备方法及
2006年8月16日 本发明涉及乙烯聚合、乙烯与α烯烃共聚催化剂载体的制备方法及设备，尤其涉及气相流化床乙烯聚合催化剂微球形二氧化硅载体的制备方法及设备。背景技术乙烯是石油化工的主要代表产品。乙烯烃产品的生产和应用是是衡量一个国家和地区石油化工发展水平的重要的尺度。聚乙烯是乙烯下游最 2012年6月30日 在分析了设备及工艺 方面存在的影响扩散均匀性因素的基础上，提出了优化扩散均匀性的实验方法，包括：在硅片表面上制作二氧化硅薄膜来减缓磷 扩散的速度；在扩散时控制小氮与氧气的流量比例；减少扩散过程中温度波动对扩散结果的影响；在炉口区域设置较高的温度进硅太阳电池扩散方阻均匀性研究
二氧化硅生产工艺流程 百度文库
二氧化硅生产工艺流程将硅灰进行粉碎，得到符合要求的二氧化硅粉末。粉碎工艺通常采用球磨机等设备 进行，以保证粉末的细度和均匀性。总的来说，二氧化硅的生产工艺流程包括原料准备、熔炼、氧化、冷却、粉碎等环节。这些环节需要严格控制 气相二氧化硅的制备方法 f变，起到了补强作用。 硫化胶撕裂强度的变化情况与拉伸强度相似，都是随着气相白炭黑的 补强性能的提高而增大，随气相白炭黑用量的增加起先增大，达到峰值后稍微下降。 212 气相白炭黑对 HTV 硅橡加工性能的影响 气相 气相二氧化硅的制备方法百度文库
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
Explore Zhihu's column for a platform to write freely and express yourself2021年11月29日 28工作原理：该二氧化硅高浓废水处理设备使用流程为，首先当需要通过废水处理设备对工业废水进行过滤时，通过进水管8将工业废水导入搅拌箱2，然后工业废水的高度到达搅拌箱2内高度的三分之二时，电磁阀9启动，使进水管8关闭，然后动伺服电 一种二氧化硅高浓废水处理设备的制作方法 X技术网
一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺的制作方法 X技术网
2006年3月8日 专利名称：一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺的制作方法 技术领域： 本发明涉及平面光波导集成领域，特别是涉及一种深刻蚀二氧化硅脊型波导及其制备工艺。 背景技术： 硅基二氧化硅(SiO2)波导是各类平面光波导中应用最为广泛的一种，具有以下突出优点，如性质稳定、工艺成熟，与 PECVD法低温制备二氧化硅薄膜 针对金属层间介质以及MEMS等对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用等离子增强型化学气相沉积 (PECVD)技术,以SiH4和N2O为反应气体,低温制备SiO2薄膜的方法利用椭偏仪和应力测试系统对制得的SiO2薄膜的厚度、折射率、均匀性以及应力等 PECVD法低温制备二氧化硅薄膜 百度学术
CVD工艺介绍百度文库
2012年7月25日 CVD工艺介绍 一般而言，淀积的二氧化硅同热生长二氧化硅相比，密度较低，硅与氧数量之比与热生 长SiO2也存在轻微的差别，因而薄膜的力学和电学特性也就有所不同．高温淀积或者在淀积 之后进行高温退火，都可以使CVD二氧化硅薄膜的特性接近于热生长SiO2的 2018年10月12日 用PECVD技术制备氧化硅薄膜，研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响，探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。 结果表明，在阳极位置生成的薄膜具有Si 用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能
氧化硅片(silicon oxide wafer) 先进电子材料与器件校级平台
2024年6月6日 AEMD的氧化硅片是运用热氧化工艺，通过常压炉管设备在高温（800℃~1150℃）条件下，通过氧气或者水蒸气的方式在硅片的表面生长而成的二氧化硅薄膜。 加工的厚度范围从50纳米到2微米，工艺温度高达1100摄氏度，生长方式分为“湿氧”和“干氧”两种。 热 2014年7月23日 通常PECVD设备昂贵，采用全PECVD工艺制作PLC器件[10] ，往往生产效率与制作成本处于劣势。 FHD比PECVD更早用于PLC器件的制作[11] [12] ，该方法能较快地生长厚 达几十甚至上百微米的SiO 2 膜层材料，对台阶的覆盖比PECVD更好[13] ，但对膜层厚度均匀性的控制相对更难。二氧化硅光波导膜材料的制备工艺 Fabrication Process of
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2022年12月22日 目前磁控溅射的双靶反应溅射沉积 二氧化硅 的设备已经成功应用到了生产线上。 四：结语 20世纪90年代中期以来，二氧化硅薄膜作为一种新型材料在光学和电学等方面具有优异的性能，越来越受到广泛的关注。
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