细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
碳化硅的制造工艺与设备
一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
2022年12月1日 碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火工艺。2024年5月31日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。比 一文为您揭秘碳化硅芯片的设计和制造 电子工程专辑 EE
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式， 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 2023年9月22日 碳化硅制造中的环节和设备 1、芯片制造 碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下： （ 1）图形化氧化膜。 清洗晶圆，制作一层氧化硅（SiO2）薄膜 碳化硅制造中的环节和设备电子工程专辑
SiC碳化硅器件制造那些事儿电子工程专辑
2022年11月2日 碳化硅器件制造的工艺流程 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。 而碳化硅材料的特 2024年5月24日 谈一谈碳化硅单晶技术发展动态与趋势——访天津理工大学功能晶体研究院徐永宽副院长 2458 中国粉体网讯 在半导体产业链中，以先进陶瓷为代表的关键零部件是支撑半导体设备实现先进制造的重要载体，也是目前国产化替代的重要领域。 同 谈一谈碳化硅单晶技术发展动态与趋势——访天津理工大学
碳化硅器件制造工艺流程
2023年11月16日 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 碳化硅材料的特殊性质决定其器件制造中某些工艺需要依靠特定设备进行特殊开发，以促使碳化硅器件耐高压、大电流功能的实现。2017年10月24日 我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。 通常，国际上把碳化硅（SiC）、氮化镓 (GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。 其在禁带 我国第三代半导体材料制造设备取得新突破 中华人民共和国
什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要包括： 120270 W/mK 的高热传导 40x10^6/°C 的低热膨胀系数 最大电流密度高 这三种本文就碳化硅晶圆生产流程进行了详细的解释和说明。 通过对原料准备、晶圆制备、表面处理等工艺步骤的分析，明确了碳化硅晶圆的生产过程及其关键点。 同时，我们还介绍了生产设备和工艺参数的选择，以及质量控制与故障分析等方面的内容。 整个文章 碳化硅晶圆生产流程解释说明百度文库
碳化硅陶瓷加工新方法：陶瓷生胚加工机床的优势与挑战
2024年2月20日 2 高效率：陶瓷生胚加工机床采用高速切削技术，可以大大提高碳化硅陶瓷的加工效率。 与传统的成型方法相比，陶瓷生胚加工机床的加工效率可以提高数倍甚至数十倍。 3 减少裂纹和变形：由于陶瓷生胚加工机床采用非接触式加工方式，刀具与陶瓷生胚之 3 天之前 原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）： 碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 一颗芯片的制造工艺非常复杂，需经过几千道工序，加工的每个阶段都面临难点。 欢迎加入艾邦半导体产业微信群： 半导体晶圆面型参数TTV、BOW、Warp是芯片制造必须要考虑的因 碳化硅晶圆减薄工艺中的重要指标 艾邦半导体网
碳化硅晶圆产业链的核心：外延技术 电子工程专辑 EE
2023年8月8日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。2023年11月7日 工艺复杂性：碳化硅器件制造的工艺相对复杂，包括多步骤的材料生长、沉积、腐蚀和清洗等过程，这些步骤相对于硅基器件来说更加繁琐。 4 温度要求：碳化硅器件具有较高的耐高温性能，可以在高温环境下工作，因此在制造过程中需要考虑更高的温度和设 碳化硅与硅基器件制造差异
新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）器件工艺流程外延
2022年8月24日 4）晶圆加工，通过光刻、沉积、离子注入和金属钝化等前段工艺加工形成的碳化硅晶圆，经后段工艺可制成碳化硅芯片； 5）器件制造与封装测试，所制造的电子电力器件及模组可通过验证进入应用环节。 碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会经济科技人民网
碳化硅SiC衬底生产工艺流程与革新方法 模拟技术 电子
2024年2月29日 碳化硅籽晶是晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构，同样也是决定晶体质量的核心原料。 籽晶位于反应器内部或原料上方。 03 晶体生长 SiC晶体生长是SiC衬底生产的核心工艺，核心难点在于提升良率。 目前SiC晶体的生长方法主要有物理气相 2023年7月8日 现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确，如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能，才能实现弯道超车。 碳化硅市场竞争格局 目前而言，在碳化硅衬底 趋势丨国产碳化硅进击8英寸，竞争将更加激烈且复杂 腾讯网
碳化硅坩埚：高温下的坚韧与卓越材料化学制造
2023年11月29日 此外，由于碳化硅的化学稳定性，坩埚不会与大多数化学物质发生反应，因此可以在许多化学反应中使用。尽管碳化硅坩埚具有许多优点，但也有一些局限性。例如，碳化硅坩埚的制造成本较高，因为制造过程需要精密的工艺和专业的设备。此外，由于碳化 2024年2月2日 碳化硅：半导体材料的未来与激光加工的新机遇 在当今的高科技领域， 碳化硅 作为一种性能优异的第三代半导体材料，正逐渐成为新一代电子工业设备的核心。 其独特的物理、化学和光学特性，使其在航空航天、新能源汽车等行业得到广泛应用。 尤其在新 碳化硅：半导体材料的未来与激光加工的新机遇 RF技术社区
碳化硅功率半导体的制造工艺与应用探究 RF技术社区
2023年12月21日 碳化硅功率半导体的制造工艺与应用探究 在现代科技领域中，碳化硅（SiC）功率半导体以其独特的性能优势成为炙手可热的焦点。 作为一种新型材料，SiC功率半导体在能源转换和高功率应用领域具有广阔的前景。 本文将深入探讨碳化硅功率半导体的 2．碳化硅微粉的制法： 制备碳化硅微粉的方法有很多，如：机械粉碎法、激光合成法、等离子合成法、CVD法、、溶胶—凝胶法、高温裂解法等。 在各种方法中机械粉碎法因其工艺简单、投资小、成本低、产量大，目前仍是制备碳化硅微粉的主要方法。 3 碳化硅微粉的应用与生产方法百度文库
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年9月27日 导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。2023年12月24日 半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。碳化硅与第三代半导体的渊源 电子工程专辑 EE Times China
知乎专栏
Explore the Zhihu column for insightful articles and discussions on various topics2022年5月20日 碳化硅的制备及应用最新研究进展 王嘉琳1, 刘世凯1*,黄威2 ,徐天兵2 ,宋志键1 ,陈颖鑫1 ,孙亚光1 河南工业大学材料科学与工程学院,河南 郑州 碳化硅的制备及应用最新研究进展 ResearchGate
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅生产工艺 (4)碳化硅在1400℃与氧气开始反应。 在900~1300℃开始氧化、分离出SiO2，或产生CO气体。 总投资约11500~12000万元，建成年产11万吨左右的碳化硅生产基地。 （主要设备：变压器，整流柜，高低压柜，碳化硅冶炼电炉等） 如果投资14000万 2023年3月20日 出于与汽车相同的原因，碳化硅已经开始在能源行业找到自己的位置，并可能在未来十年内进入大功率工业应用。然而，这并不是碳化硅故事的结局。随着特斯拉宣布在其未来的动力总成中减少碳化硅，市场价值和技术都可能根据原始设备制造商的选择而改变。碳化硅器件发展方向与面临的三大难题 腾讯网
碳化硅制备工艺包括哪些？ 问答集锦 未来智库
2024年3月11日 晶圆制造：工艺与硅基类似，需要特定工艺和设备 工艺流程与硅基器件大体类似，材料不同要求特定工艺与设备。 碳化硅 器件也包括器件设计、晶圆制造和封测等环节，晶圆制造主要包括涂胶、 显影、光刻、清洗、减薄、退火、掺杂、刻蚀、氧化、磨削、切割等前 道工艺约三百多道工序。2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国logitech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式， 造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅
碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 2023年9月22日 碳化硅制造中的环节和设备 1、芯片制造 碳化硅SBD与MOSFET的基本制造方法相同，SBD结构简单、制造工艺相对简单，MOSFET的制造工艺相对复杂，以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例说明如下： （ 1）图形化氧化膜。 清洗晶圆，制作一层氧化硅（SiO2）薄膜 碳化硅制造中的环节和设备电子工程专辑
SiC碳化硅器件制造那些事儿电子工程专辑
2022年11月2日 碳化硅器件制造的工艺流程 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 不少功率器件制造厂商在硅基制造流程基础上进行产线升级便可满足碳化硅器件的制造需求。 而碳化硅材料的特
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